介质损耗（什么是介质损耗）

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介质损耗因数受哪些因素影响？

介质损耗因数受哪些因素影响？

影响介质损耗因数测量结果的因素如下:

(1)温度的影响。温度对tanδ有直接影响，介质其程度因绝缘材料和设备结构而异。损耗什介一般来说，质损tanδ随着温度的介质升高而增加。为了便于比较，损耗什介应将不同温度下测得的质损tanδ值换算成20℃后再进行比较。

油浸式电力变压器的介质温度换算公式为:

tanδ2=tanδ1×1.3(t1-t2)/10

在这个公式中，tanδ1和tanδ2分别是损耗什介t1和t2时的tanδ值。

由于被测产品的质损真实平均温度难以准确测量，影响了转换结果的正确性。因此，测量应尽可能在10-30℃的温度下进行，最好每次温度相近。

当受潮的绝缘材料低于0℃时，水分会冻结，tanδ会降低。因此，在太低的温度下测得的tanδ不能反映真实的绝缘情况，所以tanδ的测量温度不应低于5℃。

②测试电压的影响。绝缘良好的Tanδ不随电压的升高而明显增加。如果存在内部缺陷，其tanδ会随着测试电压的升高而明显增大。

(3)tanδ与样品电容的关系。对于电容小的器件(如套管、变压器、耦合电容等。)，测量tanδ可以有效发现局部集中和整体分布的缺陷。但对于电容较大的设备(如大中型变压器等。)，tanδ的测量只能发现绝缘的整体分布缺陷，因为局部集中缺陷引起的损伤增加只占总损耗的极小一部分，容易被掩盖。设备的绝缘结构总是由许多元件组成，包含多种材料，可视为由许多串并联等效电路组成。

自动抗干扰介损测试仪是参照最新行业标准和电力测试规程开发生产的高精度介损测试仪。采用了最新的变频技术，滤除了工频场中产生的干扰，保证了仪器在强电场干扰下的准确测量。高压升压变压器，采用完善的过零合闸、防雷等安全保护措施。测试时输出0.5 kV ~ 10 kV不同等级的高压，操作简单安全。适用于发电厂、变压器制造厂和电力维护部门。

介质损耗有哪几种形式 产生的原因是什么

绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，会在其内部引起能量损耗。这是介质损耗产生的原因。介质损耗有以下几种形式：

1、漏导损耗，实际使用中的绝缘材料在外电场的作用下，总有一些带电粒子会发生移动而引起微弱的电流，漏导电流流经介质时使介质发热而损耗了电能。这种因电导而引起的介质损耗称为“漏导损耗”。

2、极化损耗，在介质发生缓慢极化时，带电粒子在电场力的影响下因克服热运动而引起的能量损耗。

3、电离损耗，是由气体引起的，含有气孔的固体介质在外加电场强度超过气孔气体电离所需要的电场强度时，由于气体的电离吸收能量而造成指耗。

4、结构损耗，在高频电场和低温下，有一类与介质内邻结构的紧密度密切相关的介质损耗称为结构损耗。

5、宏观结构不均勾性的介质损耗，工程介质材料大多数是不均匀介质。

扩展资料

离子晶体的损耗，离子晶体的介质损耗与其结构的紧密程度有关。以这类晶体为主晶相的陶瓷往往用在高频场合。如刚玉瓷、滑石瓷、金红石瓷、镁橄榄石瓷等；

玻璃的损耗，复杂玻璃中的介质损耗主要包括三个部分：电导耗、松弛损耗和结构损耗。哪一种损耗占优势，取决于外界因素温度和电场频率；

陶瓷材料的损耗，陶瓷材料的介质损耗主要来源于电导损耗、松弛质点的极化损耗和结构损耗。此外，表面气孔吸附水分、油污及灰尘等造成的表面电导也会引起较大的损耗；

高分子材料的损耗，高分子聚合物电介质按单体单元偶极矩的大小可分为极性和非极性两类。

参考资料来源：百度百科——介质损耗

什么叫介质损耗

介质损耗：绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ)的余角δ称为介质损耗角。

什么是变压器的介质损耗

1、变压器的介质损耗一般是指磁介质损耗。主要包括两部分：一部分是磁滞损耗，另一部分是涡流损耗。

磁滞损耗是因为铁芯存在“磁滞回线”，以至于感生电动势和磁化电流之间的相位差不等于90度了。我们知道，如果是90度，这个电流就是“无功”的了，现在不等于90度，相当于并联上了一个有功的电流成分。

涡流损耗同样也等效于并连上了一个有功的电流成分。

2、具体解释：

变压器正常工作时，二次侧电流和一次测电流的主要部分所产生的磁场是抵消的。抵消后剩下的磁场大致应该等于空载时（二次电流为零时）的磁场（假设忽略电阻和漏磁）。所以，我上面所说的“磁化电流”也就应该是等于变压器的空载电流了。

理想的情况，空载电流应该是比电压滞后90度，是“无功”的。但是有了上述损耗，这个滞后就不够90度了。这个滞后角的余角δ同样可以代表损耗的大小。其数学关系与草头蒜兄所说的电介质损耗非常相似。

变压器空载时，如果没有损耗，一次侧的输入特性应该相当于一个纯电感，有了损耗，输入电流就等效于在电感上又并联了一个电阻。tanδ应该等于这个等效电阻上的电流与电感上的电流之比。

介质损耗因数

介质损耗（dielectric loss ）指的是绝缘材料在电场作用下，由于介质电导和介质极化的滞后效应，在其内部引起的能量损耗。也叫介质损失，简称介损。

介质损耗因数（dielectric loss factor）指的是衡量介质损耗程度的参数。

介质损耗角δ

在交变电场作用下，电介质内流过的电流相量和电压相量之间的夹角(功率因数角Φ的余角δ)。 简称介损角。

介质损耗正切值tgδ

又称介质损耗因数，是指介质损耗角正切值，简称介损角正切。介质损耗因数的定义如下:

如果取得试品的电流相量和电压相量，则可以得到如下相量图：总电流可以分解为电容电流Ic和电阻电流IR合成，因此：这正是损失角δ=(90°-Φ)的正切值。现在的数字化仪器从本质上讲，是通过测量δ或者Φ得到介损因数。 测量介损对判断电气设备的绝缘状况是一种传统的、十分有效的方法。绝缘能力的下降直接反映为介损增大。进一步就可以分析绝缘下降的原因，如：绝缘受潮、绝缘油受污染、老化变质等等。测量介损的同时，也能得到试品的电容量。如果多个电容屏中的一个或几个发生短路、断路，电容量就有明显的变化，因此电容量也是一个重要参数。 4、功率因数cosΦ功率因数是功率因数角Φ的余弦值，意义为被测试品的总视在功率S中有功功率P所占的比重。功率因数的定义如下:有的介损测试仪习惯显示功率因数(PF:cosΦ)，而不是介质损耗因数(DF:tgδ)。一般cosΦtgδ，在损耗很小时这两个数值非常接近。 5、高压电容电桥高压电容电桥的标准通道输入标准电容器的电流、试品通道输入试品电流。通过比对电流相位差测量tgδ，通过出比电流幅值测量试品电容量。因此用电桥测量介损还需要携带标准电容器、升压PT和调压器。接线也十分烦琐。 6、高压介质损耗测量仪 简称介损仪，是指采用电桥原理，应用数字测量技术，对介质损耗角正切值和电容量进行自动测量的一种新型仪器。一般包含高压电桥、高压试验电源和高压标准电容器三部分。 AI-6000利用变频抗干扰原理，采用傅立叶变化数字波形分析技术，对标准电流和试品电流进行计算，抑制干扰能力强，测量结果准确稳定。

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